收藏本站
Si7462DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.8
0.6
0.4
80
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 1.2
- 1.4
- 1.6
I D = 250 μ A
60
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on)
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10
1
I D(on)
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
0.1
0.01
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.001
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 55 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72136
S09-0227-Rev. C, 09-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
SI7530DP-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7634BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
相关代理商/技术参数
SI7463ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:FET P-CH 40V 16.6A PPAK 8SOIC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET
SI7463DP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P POWERPAK
SI7463DP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 40V 11A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7463DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7463DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7463DP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC
SI7464DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET